题目内容：

砷(As)可作为半导体村料锗(Ge)和硅的掺杂元素，这些材料广泛应用于发光二极管、红外线发射器等。回答下列问题：

(1)天然的SiO2存在形态有结晶形和无定形两大类，结晶形SiO2能自发的呈现规则多面体外形的性质被称为晶体的______________性，区分这两种形态的SiO2最可靠的方法足对固体进行___________实验。

(2)基态砷原子的价层电子排布图为_____________，最高能层符号为_____________，Ge、As、Se第一电离能从大到小的顺序为_____________________。

(3)锗元素与碳元素类似，可形成锗烷(GenH2n+2)，但至今没有发现n大于5的锗烷，根据下表提供的数据分析其中的原因_____________________。

化学键	C-C	C-H	Ge-Ge	Ge-H
键能(kJ·mol-1)	346	411	188	288

 

(4) GeCl4分子中的键角为_____________，GeH4分子中Ge的_____________轨道和H的_________轨道重叠形成σ键。

(5)立方砷化镓的晶胞如下图所示，已知晶胞边长为565pm，则Ga-As键的键长为___________pm(只列出算式即可)，Ga-As键中共用电子对偏向____________(填“Ga”或“As”)。