题目内容：

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

(1)写出基态As原子的核外电子排布式___________。

(2)AsCl3分子的立体构型为_________，其中As的杂化轨道类型为________。

(3)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl2的熔点为77.9℃，其原因是______________。

(4)GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g/cm3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为______________，Ga与As以______________键结合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g/mol和MAs g/mol，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为______________。