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氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等方面有广阔的前景。 (1)传统的氮化镓制各方法是采用GaC13与NH3在一定条件下反应。NH3的电子...

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