题目内容：

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]________。

（2）根据元素周期律，元素的电负性Ga________(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B________Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______________________。

（3）杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为________，As原子采取________杂化。

（4）组成相似的GaF3和GaCl3晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体，从F－和Cl－结构的不同分析其原因是_____________。

（5）原子晶体GaAs的晶胞参数a＝x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为________；A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为________(用x表示)pm；该晶体的密度为________g·cm－3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)

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