题目内容：

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）写出基态As原子的核外电子排布式_________________________。

（2）根据元素周期律，原子半径Ga________As，第一电离能Ga________As。（填“＞”或“＜”）

（3）AsCl3分子的立体构型为______________，其中As的杂化轨道类型为__________。

（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。

（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_____________。（已知：晶胞内As原子之间彼此不相切）